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一、湿法腐蚀在碳化硅衬底加工中的作用与挑战 湿法腐蚀是碳化硅衬底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面损伤层、调整表面形貌、提高表面光洁度等。然而，湿法腐蚀过程中，由于腐蚀液的选择、腐蚀时间的控制、腐蚀均匀性等因素，往往会导致衬底表面TTV的增加，进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响湿法腐蚀后TTV的关键因素 腐蚀液成分：腐蚀液的选择直接影响腐蚀速率和均匀性。不同的腐蚀液对碳化硅的腐蚀行为不同，选

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一、半导体刻蚀是什么意思？ 刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。

一、碳化硅衬底的加工流程 碳化硅衬底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗抛和精抛（CMP）等几个关键工序。每一步都对最终产品的TTV有着重要影响。 切割：将SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多线砂浆切割是目前常用的切割方式，关键在于确保切割后的晶片厚度均匀、翘曲度小。 粗磨：去除切割过程中产生的表面损伤和刀纹，修复变形。此过程需使用高硬度磨料，如碳化硼或金刚石粉，以达到稳定的去除速率。 精磨：进一步降低表面粗糙度，为

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周转轮系是一种齿轮系统，其特点是至少有一个齿轮的轴线在运动过程中是绕另一齿轮的固定轴线旋转的。 一、周转轮系的基本构件 1. 行星轮：在周转轮系中既做自转也做公转的齿轮，类似于行星围绕太阳的运动，因此得名。 2. 中心轮：与行星轮相啮合，轴线与主轴线重合的齿轮。中心轮可以是固定的，也可以是旋转的。在行星轮系中，通常有一个中心轮是固定的，而在差动轮系中，两个中心轮都是活动的。 3. 转臂（行星架）：支撑行星轮并允许

半导体物理里面，为什么mp比m0差个十倍啊，题目里面不是mp＝0.86m0吗？怎么到计算后面就变成0.086了【图片】

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一、激光退火在碳化硅衬底加工中的作用与挑战 激光退火是一种先进的热处理技术，通过局部高温作用，能够修复碳化硅衬底中的晶格缺陷，提高晶体质量，优化掺杂元素的分布，从而改善材料的导电性能和表面结构。然而，激光退火过程中，由于激光能量分布的不均匀性、退火参数的精确控制难度以及衬底材料的初始状态等因素，往往会导致衬底表面TTV的变化，进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响激光退火后TTV变化的关键因素 激光

近日，浙江焜腾红外技术股份有限公司（简称：焜腾红外）又传来好消息： 经过不懈的技术迭代和产品开发，焜腾红外在640×512和1280×1024两种面阵规格基础上首次研制出中波高温Ⅱ类超晶格（T2SL）2K×2K芯片。该芯片具备高芯片工作温度，面阵规模更大，可实现多种成像应用。 配合该研发节奏，在即将开幕的2024慕尼黑上海光博会（2024年3月20-22日）上，焜腾红外带来三大精彩看点，不容错过： 看点1：首次展出中波高温Ⅱ类超晶格（T2SL）2K×2K芯片，同

一、碳化硅衬底修边处理的作用与挑战 修边处理是碳化硅衬底加工中的一个关键步骤，主要用于去除衬底边缘的毛刺、裂纹和不规则部分，以提高衬底的尺寸精度和边缘质量。然而，修边过程中由于机械应力、热应力以及工艺参数的精确控制难度，往往会导致衬底表面TTV的变化，进而影响后续加工工序和最终产品的性能。 二、影响修边处理后TTV变化的关键因素 修边工艺：修边工艺的选择直接影响TTV的变化。不同的修边工艺，如机械磨削、激光切割、

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以下是对酸腐蚀液、硅片加工方法和晶圆封装方法的详细介绍： 一、酸腐蚀液 酸腐蚀液在硅片加工中起到蚀刻作用，通过化学溶液溶解因物理加工而受损的表层。一种有效的酸腐蚀液配方如下： 氢氟酸（HF）：浓度为40%~60% 硝酸（HNO##磷酸（H#封神2特效被嘲不如黑神话#硫酸（H2SO4）：浓度为90%~100% 柠檬酸：浓度为5%~15% 上述各组分按照体积比1:18:1#:0.52:0.12混合而成。在传统酸溶液中加入H## 二、硅片加工方法 硅片加工是一个复杂的过程，主要包括以下几

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