3DIC有效间隙填充
本研究采用有限体积法模拟PVD（物理气相相淀积）室内的磁剖面。对于这种长抛溅射PVD，间隙填充室的适配器有120mm高，适配器周围有44组侧磁铁。侧磁铁的极性与腔室的顶部磁铁一样。这些侧磁铁能非常有效地增加电子迁移率和与溅射的碰撞频率。等离子体模拟结果表明，从这种有如此磁铁配置的PVD系统，溅射原子的离化率高达到12%。因此，它显示通孔底部侧壁覆盖有显著提高，达45%。淀积速率增加40%。
作者：Tomi T. Li、H.T.Chen，National Central University；Thomas C. K. Yang、S. W. Yang，National Taipei University of Techonology；H. H. Liu、Leo Chiang，Leading Precision Inc
本研究采用有限体积法模拟PVD（物理气相相淀积）室内的磁剖面。对于这种长抛溅射PVD，间隙填充室的适配器有120mm高，适配器周围有44组侧磁铁。侧磁铁的极性与腔室的顶部磁铁一样。这些侧磁铁能非常有效地增加电子迁移率和与溅射的碰撞频率。等离子体模拟结果表明，从这种有如此磁铁配置的PVD系统，溅射原子的离化率高达到12%。因此，它显示通孔底部侧壁覆盖有显著提高，达45%。淀积速率增加40%。
作者：Tomi T. Li、H.T.Chen，National Central University；Thomas C. K. Yang、S. W. Yang，National Taipei University of Techonology；H. H. Liu、Leo Chiang，Leading Precision Inc
