台积电表示，其3nm制程技术性能、功耗及面积(PPA) 及晶体管体技术为业界最先进半导体逻辑制程技术，是继5nm(N5) 制程后另一个全新世代制程。相较N5 制程，3nm逻辑密度增加约60%，或相同速度下功耗降低30%~35%，并支持创新的TSMC FINFLEXTM 架构。
预计，3nm技术将会应用在超级计算机、云端、数据中心、高速网际网络，及许多移动装置，包括未来的AR、VR产品。
刘德音致词时表示，台积电保持技术领先，同时深耕台湾，持续投资并与环境共荣，3nm量产暨扩厂典礼展现台积电在台湾发展先进技术及扩充先进产能的具体作为，与供应链上下游一同成长，培养未来人才，从设计到制造、封装测试、从设备、到材料，为世界释放最具竞争力的先进制程技术、可靠的产能驱动未来科技的创新。

据了解，台积电位于南部科学园区晶圆18 厂为台积电生产5nm及3nm制程技术的超大晶圆厂(GIGAFAB Facilities)。该厂区投资金额总计超过新台币18,600亿元，创造逾23,500个营建工作机会，以及超过11,300 个直接高科技工作机会。台积电除了台湾持续扩建3nm产能，美国第二期建厂亦同步展开。台积电预估3nm制程技术量产第一年收入优于2020年5nm量产时收益，预计3nm制程技术将在量产5年内释放全世界约1.5万亿美元终端产品价值。
刘德音在致词时还透露，台积电南科厂区，包括六厂、十四厂、十八厂，同时有来自南科再生水厂的水资源供应，将逐步达成2030 年再生水替代率60% 的目标；台积电目前使用20% 再生能源，并将达到2050 年采用100% 再生能源与净零排放的永续目标。
值得一提的是，台积电全球研发中心将于2023 年第二季在新竹科学园区开幕，可进驻8000位研发人员，准备中的2nm晶圆厂分别落址新竹与中部科学园区，共计六期工程皆依计划进展。
编辑：芯智讯-浪客剑