1.为什么说全盘模拟是三段式写入?按我的理解，进行全盘写入的时候缓内是一段高速，tlc模拟slc用完后此时没有tlc颗粒了，无法进行tlc直写，后续进行速率最低的边擦边写，只有两段式，三段式我的理解是非全盘模拟的盘才会出现的，缓内一段，tcl直写一段，所有颗粒用完后再进行边擦边写总共三段。不是很能理解
2.为什么边擦边写的速率会这么慢，是因为擦除的效率比不上写入的效率吗?如果是的话那是不是意味着全盘模拟的盘在出缓后一直都处于边擦边写的状态