器件：IPP120N20NFD，IPL65R115CFD7，IPL60R075CFD7（N通道晶体管）
IPP120N20NFD：N通道晶体管 200V 通孔
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：200 V
功率耗散：300W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
IPL65R115CFD7：N通道晶体管 650V 表面贴装型
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
功率耗散：144W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
IPL60R075CFD7：N通道晶体管 600V 表面贴装型
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
功率耗散：189W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-VSON-4
封装/外壳：4-PowerTSFN