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AP30N02D 20V N沟道增强型MOSFET

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■产品描述:
AP30N02D采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。该设备适合用作
电池保护或其他开关应用。
■一般特性:
VDS = 20V ID =30A
RDS(ON) = 11mΩ@ VGS=4.5V
■产品应用:
太阳能路灯
负载开关
不间断电源


IP属地:广东来自iPhone客户端1楼2024-06-05 22:28回复