IPTG017N12NM6 是一款正常电平 120V N-通道 MOSFET 晶体管，导通电阻为 1.7 mOhm。
IPTG017N12NM6：120V OptiMOS™ 6 功率 N-通道 MOSFET 晶体管，PG-HSOG-8
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Ta），331A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），395W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：PG-HSOG-8
星际金华，明佳达供应，回收IPTG017N12NM6【MOSFET 晶体管】NTMFS7D5N15MC。
NTMFS7D5N15MC：150V N-通道 MOSFET 晶体管，PQFN-8
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
功率耗散（最大值）：3.3W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-PQFN（5x6）
封装/外壳：8-PowerTDFN