面积也变大了吧

估计是为了解决高频积热问题设计了很多的无效晶体管来解决的。AMD透露Zen 4的CCD面积是66.3mm2，而Zen 4c的CCD设计面积只有72.7mm2，只增大了不到10%，要知道这里面其实是有翻倍的核心和L2缓存，而且L3缓存容量是一样的，小核心就完全不一样了，去掉一些冗余的晶体管来堆核心，缺点是频率上不去，intel最新的小核心50%+IPC不过核心面积也就提升一倍而且后续还有优化空间。

……

核心晶体管数量增加28%， 核心面积还微缩0.5% ，密度提高， 然后积热还降低；

zen4是因为整个瓶子都换了
zen5是大幅度加料，核心规模成为业界前列

Zen5这一代消费级应该是【不功不过】，稳步提升！
隔壁牙膏厂15代好像是大核拉了大胯，小核牙膏挤爆，大核就比小核好了13%的IPC，纯纯电阻丝！小核巨幅提升，IPC追平12代大核，频率说是有4.6G牙膏厂明明很接近正确答案了（把小核进一步优化好），它就是要掺着错误答案一起卖（功耗不低却提升有限的大核）

zen2到zen3可以說是差不多的架構重新排列(打通雙ccx變成單ccd)，但zen4加了殘血avx512與l2翻倍，zen5則是設計大改以及補完滿血的avx512，會增加不少面積到還可以理解

明显这次换代跟zen4类似，是奔着工业运用去的。

这不是很正常么，制程提升，相同面积可以可以塞更多晶体管，以前摩尔定律是，18个月翻倍，差不多就是，18个月性能翻倍，现在是2年24个月10%提升

工艺提升，密度提高，单位面积塞更多晶体管才能提升IPC。
据说Ultra 9 285K的晶体管数量相比较14900K直接翻倍。
5nm Zen4 CCD部分的面积为66．3平方毫米，晶体管65．7亿个，密度9900万个／平方毫米
7nm Zen3 CCD部分则是80．7平方毫米、41．5亿晶体管，5140万个／平方毫米
可以看到zen5的工艺是台积电伪4nm，实际是5nm优化版，密度提升比例相比zen3升zen4差多了，可以预见满血版是zen6，真正的全新工艺，zen5只是堆料过渡版本。