Wolfspeed沃孚 750 V分立式碳化硅MOSFET 一级代理分销经销库存075582542001 82574660谢谢惠顾~
Wolfspeed沃孚 750 V分立式碳化硅MOSFET一级代理分销经销库存
Wolfspeed 750 V分立式碳化硅MOSFET
Wolfspeed 750 V分立式碳化硅MOSFET采用行业标准TO-247-4LP封装,薄型设计实现高系统功率密度。这些MOSFET可在各种电源系统中实现更小、更轻和更高效的功率转换。Wolfspeed 750 V MOSFET非常适合用于高性能工业电源、服务器/电信电源、电动汽车充电系统、能量存储系统、不间断电源和电池管理系统等应用。
特性
c3m
温度范围内的导通电阻低
低寄生电容
具有超低反向恢复的快速二极管
高温运行 (TJ = +175°C)
开尔文源极引脚
行业标准封装和引线长度
小尺寸
低引线电感
低热阻
通过较低的开关和导通损耗提高系统效率
支持高开关频率运行
提高系统=电平功率密度
降低系统尺寸、重量和冷却要求
支持新出现的硬开关拓扑(图腾柱PFC)
E4M
经过优化的封装,带独立驱动源引脚
高阻断电压,低导通电阻
高速开关,低电容
快速体二极管,具有低反向恢复特性(Qrr)
高温运行 (TJ=+175 °C)
降低开关损耗并最大限度地减少栅极振铃
系统效率高
降低冷却要求
功率密度更高
系统切换频率提高
无卤素、符合 RoHS 指令
符合汽车标准 (AEC-Q101),具有PPAP功能
应用
c3m
工业电源
服务器/电信
电动汽车充电系统
储能系统 (ESS)
不间断电源(UPS)
电池管理系统 (BMS)
E4M
电机控制
EV 电池充电器
高压直流-直流转换器
规范
750 V 的闭塞电压
25 mΩ至87 mΩ电阻范围
电流范围:35 A至80 A
功率耗散范围:126W至262W
工作温度范围:-40 °C至+175 °C
TO-247-4LP 封装
数据手册
C3M0025075K1 碳化硅功率MOSFET,N通道增强模式
C3M0045075K1 碳化硅功率MOSFET,N通道增强模式
C3M0060075K1 碳化硅功率MOSFET,N通道增强模式
E4M0015075K1 E系列汽车用碳化硅功率MOSFET,N通道增强模式
E4M0025075K1 E系列汽车用碳化硅功率MOSFET,N通道增强模式
E4M0045075K1 E系列汽车用碳化硅功率MOSFET,N通道增强模式
E4M0060075K1 E系列汽车用碳化硅功率MOSFET,N通道增强模式
资源
电动汽车充电电源拓扑设计指南
分立式SiC MOSFET的PCB布局技术
针对Wolfspeed®功率器件的焊接建议
采用通孔封装的Wolfspeed®碳化硅功率器件的安装建议和热测量
相关产品
Wolfspeed SiC C3M MOSFET
能够实现更高的开关频率,更高的系统效率,并降低冷却要求。
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Wolfspeed 650V碳化硅功率MOSFET
对封装进行了优化,具有单独的驱动源引脚,采用C3M碳化硅MOSFET技术。
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Wolfspeed C3M™ 系列碳化硅功率 MOSFET
900V MOSFET 平台,针对高频 电力电子应用进行了优化。
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Wolfspeed C3M™ SiC 1200V MOSFET
具有高阻断电压、低导通电阻和低电容高速开关。
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Wolfspeed SiC MOSFET C3M™(采用TOLL封装)
与标准硅MOSFET相比,导通电阻温度相关性要低得多。
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Wolfspeed C3M0032120K碳化硅功率MOSFET
设计采用C3M™ MOSFET技术,具有1200V VDS、63A ID以及32 RDS(on)。
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Wolfspeed C3M0120100J碳化硅功率MOSFET
提高了系统开关频率,非常适合用于快速开关器件。
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Wolfspeed C3M0075120J碳化硅功率MOSFET
C3M碳化硅技术用于 ,提高系统开关频率,非常适合用于高速应用。
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Wolfspeed C3M0065100J碳化硅功率MOSFET
提高了系统开关频率,非常适合用于快速开关器件。
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Wolfspeed C3M0016120K碳化硅功率MOSFET
采用优化型封装,可推动C3M™ MOSFET技术的发展。
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Wolfspeed C3M0120100K 碳化硅功率 MOSFET
C3M0120100K 碳化硅 MOSFET 是一个经过优化的四引脚 TO-247-4 封装,设有单独的驱动源引脚。
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Wolfspeed C3M0065100K碳化硅功率MOSFET
碳化硅功率MOSFET,采用增强型TO-247-4封装,具有Kelvin栅极连接。
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Wolfspeed C3M0075120K 碳化硅功率 MOSFET
可降低开关损耗并最大程度地减少栅极振铃,系统效率高。
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Wolfspeed C3M0025065L C3M™碳化硅功率MOSFET
降低开关损耗和栅极振铃,同时优化系统效率。
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Wolfspeed沃孚 750 V分立式碳化硅MOSFET一级代理分销经销库存

Wolfspeed 750 V分立式碳化硅MOSFET采用行业标准TO-247-4LP封装,薄型设计实现高系统功率密度。这些MOSFET可在各种电源系统中实现更小、更轻和更高效的功率转换。Wolfspeed 750 V MOSFET非常适合用于高性能工业电源、服务器/电信电源、电动汽车充电系统、能量存储系统、不间断电源和电池管理系统等应用。
特性
c3m
温度范围内的导通电阻低
低寄生电容
具有超低反向恢复的快速二极管
高温运行 (TJ = +175°C)
开尔文源极引脚
行业标准封装和引线长度
小尺寸
低引线电感
低热阻
通过较低的开关和导通损耗提高系统效率
支持高开关频率运行
提高系统=电平功率密度
降低系统尺寸、重量和冷却要求
支持新出现的硬开关拓扑(图腾柱PFC)
E4M
经过优化的封装,带独立驱动源引脚
高阻断电压,低导通电阻
高速开关,低电容
快速体二极管,具有低反向恢复特性(Qrr)
高温运行 (TJ=+175 °C)
降低开关损耗并最大限度地减少栅极振铃
系统效率高
降低冷却要求
功率密度更高
系统切换频率提高
无卤素、符合 RoHS 指令
符合汽车标准 (AEC-Q101),具有PPAP功能
应用
c3m
工业电源
服务器/电信
电动汽车充电系统
储能系统 (ESS)
不间断电源(UPS)
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E4M
电机控制
EV 电池充电器
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规范
750 V 的闭塞电压
25 mΩ至87 mΩ电阻范围
电流范围:35 A至80 A
功率耗散范围:126W至262W
工作温度范围:-40 °C至+175 °C
TO-247-4LP 封装
数据手册
C3M0025075K1 碳化硅功率MOSFET,N通道增强模式
C3M0045075K1 碳化硅功率MOSFET,N通道增强模式
C3M0060075K1 碳化硅功率MOSFET,N通道增强模式
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E4M0025075K1 E系列汽车用碳化硅功率MOSFET,N通道增强模式
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资源
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