AP100N03P/T 30V N-通道增强模式 MOSFET
描述：
AP100N03P/T是采用先进的沟槽技术
提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作
该器件适用于电池保护或其他开关应用
特征：
VDS = 30V ID =100 A
RDS(ON) < 5.5mΩ @ VGS=10V （Type：4.5mΩ）
应用：
电池保护
负载开关
不间断电源