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铨力 APG055N12T N-通道增强型 MOSFET
特征:120V,200ARDS(ON)<5.5mΩ@VGS=10V TYP:5.0mΩRDS(ON)<7.5mΩ@VGS=6V TYP:6.5mΩ先进的沟槽电池设计低热阻
应用:电机驱动器直流-直流转换器


IP属地:广东来自Android客户端1楼2024-09-21 11:13回复


    IP属地:广东来自Android客户端2楼2025-02-19 06:35
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