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AP60P02D -20V永源微 p沟道增强模式MOSFET太阳能光伏

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描述
AP60P02D采用先进的沟槽技术
提供优良的rds (ON),低栅极电荷和
在低至2.5V的栅极电压下工作。这
该装置适合作为电池保护装置使用
或其它开关应用。
一般特征
vds = -20v I d = -60a
R DS(ON) < 12mΩ @ V GS =-4.5V (Type:8mΩ)
应用程序
电池保护
负荷开关
不间断电源


IP属地:广东1楼2024-11-29 09:36回复