14nm制程FinFET 和 3nm制程 FinFET 晶圆制程工艺步骤,几乎相同,(可能有改进的工艺处理技术细节商业机密之类)
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通俗讲,都是EUV光刻机话,,3纳米FinFET制程晶圆 生产车间生产线,只要换成 14nmFinFET芯片的 光罩光掩膜版,,就变成14纳米生产线了,,,
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反之,14纳米生产线想变成3纳米生产线,由于设备技术参数 及工艺技术细节的差距,仅仅换套光掩膜版,还不行,,,
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如果FinFET 变成 GaaFET,工艺技术处理步骤,又有更多不同了,一整套光掩膜版 张数也不一样了