BSC500N20NS3G （N通道功率 MOSFET 晶体管）STL135N8F7AG

BSC500N20NS3G：200V，24A，OptiMOS™ N通道功率 MOSFET 晶体管，PG-TDSON-8
型号：BSC500N20NS3G
封装：PG-TDSON-8
类型：功率 MOSFET 晶体管
BSC500N20NS3G——产品属性：
系列：OptiMOS™
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：50mOhm @ 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1580 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：96W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TDSON-8-1
封装/外壳：8-PowerTDFN
【星际金华，明佳达】供应及回收 BSC500N20NS3G （功率 MOSFET 晶体管）STL135N8F7AG。
STL135N8F7AG：80V，汽车级N通道 STripFET™ F7 功率MOSFET 晶体管，PowerFLAT™ 5x6
型号：STL135N8F7AG
封装：PowerFLAT™ 5x6
类型：功率MOSFET 晶体管
STL135N8F7AG——产品属性：
系列：STripFET™ F7
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.6 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：103 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6800 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）：4.8W（Ta），135W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装：PowerFlat™（5x6）
封装/外壳：8-PowerVDFN