LT1796IS8：具过压故障保护功能的 CAN 收发器，SOIC-8
型号：LT1796IS8
封装：SOIC-8
类型：CAN 收发器
LT1796IS8——产品特性：
提供了至 ±60V 的过压线路故障保护
ESD 保护至 IEC-1000-4-2 Level 4
±15kV 空气间隙测试
±8kV 接触模式测试
可兼容 ISO 11898 标准
高输入阻抗支持多达 256 个节点
用于 EMI 辐射控制的受控转换速率
当被关断或断电时，输出呈高阻抗状态
在所有的输出端上均提供了短路保护
热停机保护
星际金华，明佳达【供求】LT1796IS8（CAN 收发器），A2T21H410-24SR6射频功率LDMOS 晶体管，IPW60R180P7（MOSFET 晶体管）。
A2T21H410-24SR6：28V，72W，N通道 Airfast 射频功率LDMOS 晶体管
技术：LDMOS
配置：双
频率：2.17GHz
增益：15.6dB
电压 - 测试：28 V
电流 - 测试：600 mA
功率 - 输出：72W
电压 - 额定：65 V
安装类型：底座安装
封装/外壳：NI-1230-4LS2L
【星际金华，明佳达】供求 LT1796IS8（CAN 收发器），A2T21H410-24SR6射频功率LDMOS 晶体管，IPW60R180P7（MOSFET 晶体管）。
IPW60R180P7：650V，18A，CoolMOS™ P7 N通道MOSFET 晶体管，TO-247-3
系列：CoolMOS™ P7
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）：10V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：72W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3
封装/外壳：TO-247-3
型号：LT1796IS8
封装：SOIC-8
类型：CAN 收发器
LT1796IS8——产品特性：
提供了至 ±60V 的过压线路故障保护
ESD 保护至 IEC-1000-4-2 Level 4
±15kV 空气间隙测试
±8kV 接触模式测试
可兼容 ISO 11898 标准
高输入阻抗支持多达 256 个节点
用于 EMI 辐射控制的受控转换速率
当被关断或断电时，输出呈高阻抗状态
在所有的输出端上均提供了短路保护
热停机保护
星际金华，明佳达【供求】LT1796IS8（CAN 收发器），A2T21H410-24SR6射频功率LDMOS 晶体管，IPW60R180P7（MOSFET 晶体管）。
A2T21H410-24SR6：28V，72W，N通道 Airfast 射频功率LDMOS 晶体管
技术：LDMOS
配置：双
频率：2.17GHz
增益：15.6dB
电压 - 测试：28 V
电流 - 测试：600 mA
功率 - 输出：72W
电压 - 额定：65 V
安装类型：底座安装
封装/外壳：NI-1230-4LS2L
【星际金华，明佳达】供求 LT1796IS8（CAN 收发器），A2T21H410-24SR6射频功率LDMOS 晶体管，IPW60R180P7（MOSFET 晶体管）。
IPW60R180P7：650V，18A，CoolMOS™ P7 N通道MOSFET 晶体管，TO-247-3
系列：CoolMOS™ P7
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）：10V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：72W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3
封装/外壳：TO-247-3
