STGW80H65DFB：650V、80A、高速沟槽栅场截止HB系列IGBT晶体管，TO-247-3 型号：STGW80H65DFB 封装：TO-247-3 类型：IGBT晶体管 STGW80H65DFB——产品属性： IGBT 类型：沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：240 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，80A 功率 - 最大值：469 W 开关能量：2.1mJ（导通），1.5mJ（关断） 输入类型：标准 栅极电荷：414 nC 25°C 时 Td（开/关）值：84ns/280ns 测试条件：400V，80A

http://www.chipsx.cn TPS54360DDAR 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款集成型、同步降压转换器，支持最高3.5A的连续输出电流，输入电压范围为4.5V至60V。这款芯片采用HSOP-8（PowerPAD）封装，适用于需要高可靠性和高效率的工业及汽车电子应用。 该芯片具备集成高边和低边MOSFET，支持可编程开关频率（200kHz到2.5MHz），输出电压最低可调至0.8V。同时具备完善的保护机制，包括过流保护、短路保护、热关断和欠压锁定等，确保系统长期稳定运行。 主要参数如

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https://www.chipsx.cn REF3012AIDBZR 是一款由 Texas Instruments 推出的高精度、低功耗电压基准芯片，输出电压为 1.25V，具有极高的初始精度和温度稳定性，非常适合用于对电压基准有严格要求的模拟电路设计中。该芯片采用紧凑的 SOT-23-3 封装，适用于空间受限的便携式设备和嵌入式系统。 REF3012AIDBZR 的主要参数包括：输出电压为 1.25V，初始电压精度为 ±0.2%，温度漂移最大 100 ppm/°C，输出电流能力可达 25mA，静态电流典型值为 42μA，支持的输入电压范围是 2.5V 到

https://www.chipsx.cn PESD1CAN,215 是由 Nexperia 推出的一款专为 CAN总线通信线路 设计的低电容 TVS（二极管）器件，具备出色的 ESD 防护性能。该器件专用于保护高速通信接口免受静电放电（ESD）及其他瞬态电压干扰，是汽车电子与工业自动化系统中的首选保护方案。 核心特点： • 针对 CAN 总线设计的单通道 ESD 保护 • 高 ESD 抑制能力：±30kV（空气放电）/ ±30kV（接触放电），符合 IEC 61000-4-2 标准 • 超低电容值，最大仅为 35 pF，不影响信号完整性 • 响应速

https://www.chipsx.cn ADUM4160BRWZ-RL 是 Analog Devices 推出的一款专用于 USB 接口的高速数字隔离器，采用 iCoupler® 技术，支持 USB 2.0 全速（12 Mbps）和低速（1.5 Mbps）数据通信。该器件在不需要光耦的情况下，实现了数据与电源的可靠隔离，尤其适用于医疗设备、工业控制、通信接口等对电气安全和系统稳定性有严格要求的应用场合。 主要特性 支持 USB 2.0 低速与全速通信（1.5 Mbps / 12 Mbps） 信号与电源隔离电压达 5 kVrms（符合增强绝缘标准） 集成电压调节器，可

BMI260：结合加速度计和陀螺仪的 惯性测量单元（IMU），LGA-14 数字分辨率： - 加速计 (A)：16 位或 0.06 mg/LSB - 陀螺仪 (G)：16 位或 0.004 dps/LSB 零点/零点速率偏移： - 加速计 (A）：±20 毫克 - 陀螺仪 (G): ±0.5 dps 灵敏度误差： - 加速计 (A): ± 0.4% - 陀螺仪 (G): ± 0.4% （带 CRT） 温度范围：-40℃ 至 +85 °C 数字输入/输出： - 2x SPI；2x I2C；AUX 输入/输出；OIS 输入/输出 - 2x 数字中断 电源电压： - 1.7 ... 3.6 VDD - 1.2 ... 3.6 VDDIO 电流消耗：全 ODR 时 685 µA（无混叠） 封装尺

https://www.chipsx.cn DRV8701ERGER 是由德州仪器（Texas Instruments）推出的一款高效电机驱动器，专为低电压、高性能应用设计，能够提供精确的电流控制和高效的电机驱动功能。它是广泛应用于电机控制、机器人、家电以及工业自动化等多个领域的理想选择。 主要特点： 集成式电流控制：DRV8701ERGER 集成了高精度的电流控制功能，能够精准地控制电机的运行，确保系统的稳定性和可靠性，减少电机驱动过程中的浪费和热量生成。 低功耗设计：该芯片采用低功

BSC500N20NS3G：200V，24A，OptiMOS™ N通道功率 MOSFET 晶体管，PG-TDSON-8 型号：BSC500N20NS3G 封装：PG-TDSON-8 类型：功率 MOSFET 晶体管 BSC500N20NS3G——产品属性： 系列：OptiMOS™ FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：50mOhm @ 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：15 nC @ 10 V Vgs（最

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回收流程： 客户联系回收机构，提供电子配件IC芯片的相关信息，如型号、数量、状态等1。 回收机构派专业人员上门评估，确定回收价格2。 双方达成协议后，回收机构进行现场结算，并带走电子配件IC芯片2。 回收价格： 回收价格取决于电子配件IC芯片的型号、规格、状态以及市场需求等因素1。 回收机构通常会根据市场行情和供求关系来确定回收价格1。 环保与合规： 回收电子配件IC芯片有助于减少电子废弃物的数量，降低对环境的污染4。 回收过

TPS62407QDRCRQ1是一款汽车级双路降压 DC-DC 转换器，采用 VSON-10 封装（3mm×3mm），支持 2.5V 至 6V 输入电压范围，可输出 双路独立可调电压（最低 0.6V），适用于车载电子、工业控制等高可靠性场景。该器件符合 AEC-Q100 汽车级标准，工作温度范围为 -40°C 至 +125°C，并集成同步整流技术以提升效率。 主要参数 输入电压范围：2.5V 至 6V。 单路输出电流：400mA（主通道）和 600mA（副通道）。 开关频率：固定 2.25MHz，支持轻载脉冲跳跃模式以降低功耗。 静态电流

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