华强电子吧
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    这公司怎么样的,货的品质怎么样的
    scott_root 11-6
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    R5F21347HJFP QFP-48 数量500 HD6473827WV QFP-80 数量1000 HD64F3039F18V QFP-80 数量800
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    芯片实力代,强硬监控,自带工厂号优先。
    zz128zz 7-1
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    出AR8033 AR8035 / NX0066888
    _小__莫_ 12-9
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    抢单王正式升级为腾采通了,特色功能,无限发起临时会话,超大好友容量,自动抓取全网商机,自动报价,全网找货,采购的帮手。更多欢迎咨询,深圳地区可上门演示
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    好消息!柳州华强电子世界都倒闭了!!!哈哈!!!买到假货的话就叫本地电视台记者、报社记者、搜狐网易记者来!!!让他们没生意!!!早听说华强北假货多,现在楼房也是假的,赛格大厦还会摇晃的!!!真缺德!!!
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    好消息!柳州华强电子世界都倒闭了!!!哈哈!!!买到假货的话就叫本地电视台记者、报社记者、搜狐网易记者来!!!让他们没生意!!!早听说华强北假货多,现在楼房也是假的,赛格大厦还会摇晃的!!!
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    柳州华强电子世界都倒闭了!!!买到假货的话就叫本地电视台记者、报社记者、搜狐网易记者来!!!让他们没生意!!!哈哈!!!
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    TPS54302DDCR TI 21+ STM32G030F6P6TR ST 21+ NTMFS4C324NT1G ON 21+ 联系方式: QQ 1700501854
    Keene24 5-27
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    买到假货的话就叫本地电视台记者!!!让他们没生意!!!!!!柳州华强电子世界都倒闭了!!活该!!还不如去苏宁易购买或者京东呢!!
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    为什么这个吧没人
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    ISSI IS42S32800G-7BL 8Mx32 SDRAM 50K 6wks DC2015+ 240/tray MOQ=7K ISSI IS42S16400J-7BL 4Mx16 SDRAM 50K 1wks DC2015+ 384/tray MOQ=10K ISSI IS42S16400J-7BLI 4Mx16 SDRAM 30K 1wks DC2015+ 384/tray MOQ=10K ISSI IS42S16400F-7BL 4Mx16 SDRAM 50K 1wks DC2015+ 108/tray MOQ=10K ISSI IS42S16400F-7BLI 4Mx16 SDRAM 50K 1wks DC2015+ 108/tray MOQ=10K ISSI IS42S16320B-6TLI 32Mx16 SDRAM 30K 1wks DC2015+ 108/tray MOQ=2160 ISSI IS42S16320B-7TLI 32Mx16 SDRAM 30K 1wks DC2015+ 108/tray MOQ=2160 ISSI IS42S16320D-7TLI-TR 32Mx16 SDRAM 30K 1wks DC2015+ 1500/reel MOQ=3K ISSI IS61WV102416BLL-10TLI 1Mx16 SRAM 50K 1wks DC201
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    一手渠道香港中银公司户,随时约[社会社会] 现在提供资料,优先安排审核 审核完毕,抢五月份面签位置 面签完了,1周寄编码器 13302973731
    yun151120 4-10
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    我朋友托我帮她修手机,她本人不太懂手机,把手机ID锁住了,经过半个月的努力,她还是记不起当时设的密码,她问我有没有办法可以解锁,我在网搜了些资料恢复了出厂设置,但还是没有办法解锁,今天我抽时间经过在华强北几家的询问,在华强北步行街与振华路的交汇处找到一家门面是华为客户服务中心的苹果维修中心店,店里的维修人员跟我说只要400就可以解锁,当时还开心,还说三个钟就能完成,不成功不收费,下午我来取机子时维
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    问:企业受让的无形资产,约定使用年限为1年,是否也需要按10年来进行摊销扣除? 答:根据《中华人民共和国企业所得税法实施条例》(中华人民共和国国务院令第512号)第六十七条规定,无形资产按照直线法计算的摊销费用,准予扣除。无形资产的摊销年限不得低于10年。作为投资或者受让的无形资产,有关法律规定或者合同约定了使用年限的,可以按照规定或者约定的使用年限分期摊销。因此,受让的无形资产,有关法律规定或者合同约定了使用
    巴菲123y 7-19
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    2019年7月15日 周一 1、北京市公布生活垃圾分类治理三年行动计划:年底前,垃圾分类示范片区覆盖率将达到60%,2020年底达到90%。 2、《关于深化道路运输价格改革的意见(征求意见稿)》发布,拟规定6岁及以下不单独占用座位的儿童可免费乘坐公交。 3、国家市场监管总局消息,我国乳制品国家监督抽检合格率连续5年达99.9%以上,质量安全和营养指标基本与国际水平相当。 4、我国2018年粮食产量已经突破13000亿斤,水稻、小麦、玉米三大谷物自给率保
    巴菲123y 7-15
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    收购电子IC,内存板,手机内存,字库,继电器,连接器,废金料等一切电子元器件!有货联系小窗口秒回! 中介有酬、
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    https://mp.weixin.qq.com/s/Ry_vrRpTdq0psbyv3fcdQA
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    MX25U2033EZUI-12G WSON-8 世鼎科技有限公司是一家电子元器件的科技公司。 主要经营HYNIX,SAMSUNG,MICRON,NANYA,SPASION,MXIC,Windond等各大品牌的FLASH,SDRAM,DDR,LPDDR,EMMC系列。 我们提供的产品和服务涉及电子业的各个领域。 朱先生 SJ:15818500523 ZJ:0755-84133602 CZ:0755-23016636 LX Q:277249902 Email:zhuxy_1986@163.com Company Limited:深圳市福田区振兴路华康大厦2栋509室 counter bar:华强一号楼2楼11B112
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    The 1Gb DDR3 SDRAM C-die is organized as a 32Mbit x 4/16Mbit x 8/ 1GB DDR3 SDRAM c-die被组织为一个32兆×4 / 16mbit x 8 / 8Mbit x 16 I/Os x 8banks device. This synchronous device achieves high 8mbit x 16我/ OS X 8banks装置。该同步装置达到高 speed double-data-rate transfer rates of up to 1333Mb/sec/pin (DDR3- 高速双数据速率传输速率高达1333mb /秒/销(DDR3— 1333) for general applications. 1333)一般应用。 The chip is designed to comply with the following key DDR3 SDRAM features 该芯片的设计符合以下关键DDR3 SDRAM的特性 such as posted CAS, Pr
    CLM陨 12-8
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    H27(U_S)4G8_6F2D series is a 512Mx8bit with spare 16Mx8 bit capacity. H27(u_s)4g8_6f2d系列是一个512mx8bit备用16Mx8位能力。 The device is offered in 3.0/1.8 Vcc Power Supply, and with x8 and x16 I/O interface 该装置是在3 / 1.8的VCC电源提供,并与X8和X16的I/O接口 Its NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid state mass storage market. 它的NAND单元为固态大容量存储市场提供了最具成本效益的解决方案。 The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old
    CLM陨 11-24
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    DDR2 2G 128MX16 FBGAMT47H128M16RT-25E:CMICRON2000 •VDD的VDDQ = = 1.8v±0.1V,1.8v±0.1V •1.8v JEDEC标准的I / O(SSTL 18 _兼容) •差分数据选通(DQS DQS,#)选项 •N位预取架构 •复制输出选通(rdqs x8)选项。 •DQ和DQS的DLL到您的过渡与CK •银行8内部并行操作 •可编程CAS延迟(CL) •张贴CAS延迟(AL)的添加剂 •读写延迟时间t = 1 CK •可编程突发长度:4或8 •数据输出驱动强度可调 •64ms 8192个周期,刷新 •上终端(ODT)的 •工业温度(IT)选项 •RoHS标准 •支持JEDEC规
    CLM陨 11-15
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    本群有采购有供应商供应商 进群着可以报自己的公司名字做什么产品。 采购人员可以报自己需要的产品。我们会列出名单。能让采购和供应商更好的联系在一起。本群是一个非常有质量的群。不会像一般的群那样发一些没有质量的话。我们所没做到的客户会发到群里看其他人有没有做这类产品。我们要求的是资源共享。所以我们群严禁广告。想要做高质量的群就必须要有这规则。要是有人打广告第一次警告禁言一天。第二次就会直接踢出去。拉入本
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    •多媒体卡(MMC)和NAND闪存控制器 •153或169球wfbga /有限元分析/ LFBGA(RoHS 6 / 6— 兼容) •VCC:2.7 - 3.6V •VCCQ(双电压):1.65–1.95v;2.7–3.6v •温度范围 –工业温度:–40˚C + 85˚C –存储温度:–40˚C + 85˚C 典型的电流消耗 –待机电流:120µ一个4GB–16gb;140µ一 µ32GB;160个为64GB –有功电流(有效值):80ma(4GB–64GB) MMC的具体特点 •JEDEC标准版4.41-compliant / MMC (JEDEC标准。84-a441)–SPI模式 支持(见http://www.jedec.org/sites/default/files/ 文档/ jesd84-a441 PDF
    CLM陨 11-10
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    MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85HMICRON51000 铅完成锡银铜| | erp_taxonomy_level_1_nm SM 筛选级无线 组织64mx16 NAND闪存+ 32Mx16移动LPDDR2 SDRAM 包装尺寸8×7.5×0.64毫米 最大加工温度260°C 工作温度- 25到85°C 世鼎科技有限公司是一家电子元器件的科技公司。 主要经营HYNIX,SAMSUNG,MICRON,NANYA,SPASION,MXIC,Windond等各大品牌的FLASH,SDRAM,DDR,LPDDR,EMMC系列。 我们提供的产品和服务涉及电子业的各个领域。 朱先生 SJ:15818500523 ZJ:0755-84133602 CZ:0755-23016636 LX Q:277249902 Email:zhuxy_1986@163.com Company Limited
    CLM陨 11-10
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    MT52L256M32D1PF-107 WT:BMICRON10000 分类集成电路(ic) 记忆 美光科技公司 系列— 部分活跃状态 记忆型挥发性 DRAM内存格式 技术-移动LPDDR3的SDRAM 内存大小8gb(256M x 32) 时钟频率933mhz 写周期时间字,页— 存储器接口— 电压供应1.2v 工作温度- 30°C~85°C(TC) 世鼎科技有限公司是一家电子元器件的科技公司。 主要经营HYNIX,SAMSUNG,MICRON,NANYA,SPASION,MXIC,Windond等各大品牌的FLASH,SDRAM,DDR,LPDDR,EMMC系列。 我们提供的产品和服务涉及电子业的各个领域。 朱先生 SJ:1581850
    CLM陨 11-10
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    LPDDR4 16GMT53B512M32D2NP-062 WT:CMICRON9000 分类集成电路(ic) 记忆 美光科技公司 系列— 部分活跃状态 记忆型挥发性 DRAM内存格式 技术-移动LPDDR3的SDRAM 内存大小8gb(256M x 32) 时钟频率933mhz 写周期时间字,页— 存储器接口— 电压供应1.2v 工作温度- 30°C~85°C(TC) 世鼎科技有限公司是一家电子元器件的科技公司。 主要经营HYNIX,SAMSUNG,MICRON,NANYA,SPASION,MXIC,Windond等各大品牌的FLASH,SDRAM,DDR,LPDDR,EMMC系列。 我们提供的产品和服务涉及电子业的各个领域。 朱先生 SJ
    CLM陨 11-10
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    MT52L256M32D1PF-107 WT:BMICRON10000 分类集成电路(ic) 记忆 美光科技公司 系列— 部分活跃状态 记忆型挥发性 DRAM内存格式 技术-移动LPDDR3的SDRAM 内存大小8gb(256M x 32) 时钟频率933mhz 写周期时间字,页— 存储器接口— 电压供应1.2v 工作温度- 30°C~85°C(TC) 世鼎科技有限公司是一家电子元器件的科技公司。 主要经营HYNIX,SAMSUNG,MICRON,NANYA,SPASION,MXIC,Windond等各大品牌的FLASH,SDRAM,DDR,LPDDR,EMMC系列。 我们提供的产品和服务涉及电子业的各个领域。 朱先生 SJ:1581850
    CLM陨 11-10
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    EDBA164B2PR-1D-F-RMICRON1000 分类集成电路(ic) 记忆 美光科技公司 系列— 包装?磁带和卷轴(TR)? 部分活跃状态 记忆型挥发性 DRAM内存格式 技术-移动LPDDR2 SDRAM 内存大小16gb(256M x 64) 时钟频率533MHz 写周期时间字,页— 存储器接口并行 电压1.14 V~1.95伏 工作温度- 30°C~85°C(TC) 安装式表面贴装 216-wfbga包/箱 供应商设备封装216-fbga(12x12) 世鼎科技有限公司是一家电子元器件的科技公司。 主要经营HYNIX,SAMSUNG,MICRON,NANYA,SPASION,MXIC,Windond等各大品牌的FLASH,S
    CLM陨 11-10
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    mt66r7072a10acuxzw K3RG2G20BM-MGCH000 K9F8G08UOM-PCBO 17+ K9F8G08UOM-PIBO 17+ S34ML08G101TFI000 17+ S34ML08G201TFI000 17+ S34ML08G101TFI200 17+ H27U8G8G5DTR-BC 1 7+ H27U8G8T2BTR-BC 17+ MT29F8G08ABABAWP:B 17+ MT29F8G08ABABAWP-IT:B 17+ QQ:1470675267 SJ:13428954922
    CLM陨 9-20
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    Fyy284 2016-03
    找工作
    CLM陨 9-18
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    SDIS5BK--1004 SANDISK 70K 世鼎科技有限公司是一家电子元器件的科技公司。 主要经营HYNIX,SAMSUNG,MICRON,NANYA,SPASION,MXIC,Windond等各大品牌的FLASH,SDRAM,DDR,LPDDR,EMMC系列。 我们提供的产品和服务涉及电子业的各个领域。 朱先生 SJ:15818500523 ZJ:0755-84133602 CZ:0755-23016636 LX Q:277249902 Email:zhuxy_1986@163.com Company Limited:深圳市福田区振兴路华康大厦2栋509室 counter bar:华强一号楼2楼11B112
    CLM陨 8-29
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    DDR2 64MX16 V59C1G01168QBJ25 PROMOS 台湾茂德科技 18K 原装原包 价格优势 世鼎科技有限公司是一家电子元器件的科技公司。 主要经营HYNIX,SAMSUNG,MICRON,NANYA,SPASION,MXIC,Windond等各大品牌的FLASH,SDRAM,DDR,LPDDR,EMMC系列。 我们提供的产品和服务涉及电子业的各个领域。 朱先生 SJ:15818500523 ZJ:0755-84133602 CZ:0755-23016636 LX Q:277249902 Email:zhuxy_1986@163.com Company Limited:深圳市福田区振兴路华康大厦2栋509室 counter bar:华强一号楼2楼11B112
    CLM陨 8-25
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    MX25U4033E Macronix Serial Multi I/O (MXSMIO™) Flash provides not only SINGLE I/O, but also Multi-I/O interfaces. MX66xxx35 or MX25xxx33/35/39/73/75 series offering Dual I/O or Quad I/O operations which double or quadruple the read performance of systems for high-end consumer applications. 世鼎科技有限公司是一家电子元器件的科技公司。 主要经营HYNIX,SAMSUNG,MICRON,NANYA,SPASION,MXIC,Windond等各大品牌的FLASH,SDRAM,DDR,LPDDR,EMMC系列。 我们提供的产品和服务涉及电子业的各个领域。 朱先生 SJ:15818500523 ZJ:0755-84133602 CZ:0755-23016
    CLM陨 8-25
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    M15F1G1664A –ADBG2R 800MHZ 1.5V DDR3-1600 (10-10-10) 96 ball BGA M15F2G16128A –BDBG2F 800MHz 1.5V DDR3-1600 (11-11-11) 96 ball BGA Feature z 1.5V ± 0.075V (JEDEC Standard Power Supply) z Programmable CAS Latency:5, 6, 7, 8, 9,10,11 z 8 Internal MEMORY banks (BA0- BA2) z Differential clock input (CK, CK ) z POSTED CAS ADDITIVE Programmable Additive Latency (AL): 0, CL-1, CL-2 clock z Programmable Sequential / Interleave Burst Type z Programmable Burst Length: 4, 8 z8n-bit prefetch architecture z OUTPUT Driver Impedance CONTROL z Differential bidirectional data strobe zWrite Leveling zOCD C
    CLM陨 8-25
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    [upload=jpg]/filefold/MemberNews/2012-3-12/651345616.jpg[/upload]一般说明 原装现货100K M12L16161A16,777,216位同步高数据传输速率动态RAM为2×524,288字举办16位,高性能CMOS技术制造。同步设计允许精确的周期控制使用系统时钟I / O交易,在一切可能的时钟周期。工作频率范围,可编程突发长度和可编程延迟允许同一设备适用于各种高带宽,高高性能存储器系统应用。 16Mb/ 32Mb/ 64Mb/ 128Mb/ 256Mb/ Industrial Version/ Cross Reference Table SDRAM 16Mb TOP Part Number(Pb-free) Organization Description Refresh
    CLM陨 8-22
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    [upload=jpg]/filefold/MemberNews/2012-3-31/466553765.jpg[/upload]HYNIX/代理/ROHS/HY5PS/HY5PS121621CFP-25/HYNIX代理/现货 HY5PS121621CFP-25 另有更多HYNIX产品欢迎询问: HY57V561620CT-H HY57V641620ET-H HY57V643220CT-7 HY57V641620HGT-7 HY57V641620HGT-P HY57V643220DT-6 HY57V643220DTP-6 HY57V164010ATC-10 HY57V168010CTC-10 HY57V281620HCT-H HY5DU121622AT-H HY5DU281622ET-4 HY5DU281622ETP-36 HY5DU281622ETP-4 HY5DU281622ETP-5 HY5DU283222AF-33 HY5DU283222BFP-28 HY5DU561622CT-4 HY5DU561622CTP-4 HY5DU561622CTP-5 HY5DU561600DT-5 HY5DU573222F-25 HY5DU573222F-28 HY5DU283222BF-33 HY5DU573222F-22
    CLM陨 8-22
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    NAND256W3A2BZA6E 23KEDB4064B2PD-6D-F 100KQSD8250-0-603CSP-TR-0C 23KPM7540-0-137CSP-TR-03 11KRTR6285-0-68MQFN-TR-13 14KMXU6219-0-89LGA-TR-07 44KK4S561632N- 世鼎科技有限公司是一家电子元器件的科技公司。 主要经营HYNIX,SAMSUNG,MICRON,NANYA,SPASION,MXIC,Windond等各大品牌的FLASH,SDRAM,DDR,LPDDR,EMMC系列。 我们提供的产品和服务涉及电子业的各个领域。 朱先生 SJ:15818500523 ZJ:0755-84133602 CZ:0755-23016636 LX Q:277249902 Email:zhuxy_1986@163.com Company Limited:深圳市福田区振兴路华康大厦2栋509室 counter bar:华强一号
    CLM陨 8-22
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    4Gb Muxed 1N 2x2Gb MDDR PoP DieShrink QS SAMSUNGWLT16TTUS00WiFi standalone MODULE SWL-T16 SamsungKAT007015M-BETTT004GB eMMC v4.3 Samsung DML0510HS-18N-HNHIND MLCI 1.5uH 20% 600mA 0603 Samsung BTTM53C2RAFully Shielded BC06 Bluetooth Module Samsung WLT15TTUS00SEMCO Wifi bg module Samsung KAT007026A-ARTTT004Gb Muxed 1N 2x2Gb MDDR PoP DieShrink QS Samsung KAT00M015A-ARTTT00512MB DRAM/512MB OneNAND Die Shrink QS Samsung MM8GR01GUACA-2NASSMicroSD Card, 1GB Sandisk SDSDQAB-008G-1024MicroSD Card, 8 Gig 世鼎科技有限公司是一家电子元器件的科技公司。 主要经营HYNIX,SAMSUNG,MICRON,
    CLM陨 8-21
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    SDIS5BK--1004 SANDISK 70K 世鼎科技有限公司是一家电子元器件的科技公司。 主要经营HYNIX,SAMSUNG,MICRON,NANYA,SPASION,MXIC,Windond等各大品牌的FLASH,SDRAM,DDR,LPDDR,EMMC系列。 我们提供的产品和服务涉及电子业的各个领域。 朱先生 SJ:15818500523 ZJ:0755-84133602 CZ:0755-23016636 LX Q:277249902 Email:zhuxy_1986@163.com Company Limited:深圳市福田区振兴路华康大厦2栋509室 counter bar:华强一号楼2楼11B112
    CLM陨 8-21
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    Part No. W25Q128FV Datasheet W25Q128FV.pdf DESCRIPTION 128M-bit Serial Flash MEMORY with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPI and QPI Features Single/Dual/Quad SPI and QPI operation Uniform 4KB erasable sectors & 32KB/64KB erasable blocks 65,536 pages (256 bytes), page PROGRAM in 0.7mS (typ.) Continuous Read with 8/16/32/64 BByte Wrap Quad Peripheral INTERFACE (QPI) reduces instruction overhead Clock operation up to 104MHz (208/416MHz equivalent with Dual/Quad I/O Read) 2.7 to 3.6V power supply 4mA active read current, 1µA power down current -40° to +85°C operating range Program/Erase
    CLM陨 8-21
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    MX25L25635E MACRONIX Serial Multi I/O (MXSMIO™) Flash provides not only SINGLE I/O, but also Multi-I/O interfaces. MX66xxx35 or MX25xxx33/35/39/75 SERIES offering Dual I/O or Quad I/O operations which double or quadruple the read performance of systems for high-end consumer applications. Density Vcc Sector Type Bus Width Frequency(MHz) Mode Packages Status Buy Online 256Mb 3V 4KB, 32KB, 64KB x1, x2, x4 80(x1), 70(x2, x4) 300MIL 16-SOP 8x6mm 8-WSON Production, not for new designs 世鼎科技有限公司是一家电子元器件的科技公司。 主要经营HYNIX,SAMSUNG,MICRON,NANYA,SPASION,
    CLM陨 8-14
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    IS43DR16320C ISSI 12+ BGA 可供应总数量120K,可提供样品 如有需要,请联系:朱先生 手机:15818500523 电话:0755-23016636 QQ:277249902 邮箱:zhuxy_1986@163.com 说明 ISSI的512MB DDR2SDRAM采用了双数据速率 架构,以实现高速运转。该 双倍数据速率架构基本上是一个4n预取 建筑,设计的界面转移 在每个时钟周期的数据字I/O球。 特点 ?VDD= 1.8V±0.1V,VDDQ =1.8V±0.1V ?JEDEC标准1.8V的I /O(的SSTL_18 - 兼容) ?双数据速率接口:两个数据传输 每个时钟周期 ?差分数据选通(DQS,DQS) ?4位
    CLM陨 8-14

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